Радиочастотные FET-транзисторы NXP MRF085HR5
RF FET Transistor, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerNXP
- Manufacturer Part NoMRF085HR5
- Order Code2805101
27 056 руб.
27 056 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
27 056 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
27 056 ₽
5+
25 767 ₽
10+
24 474 ₽
Обзор продукта
RF FET Transistor, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H — профессиональный разъём от NXP (арт. MRF085HR5) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: -; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.
Техническая спецификация
- Drain Source Voltage Vds133VDC
- Continuous Drain Current Id-
- Power Dissipation235W
- Operating Frequency Min1.8MHz
- Operating Frequency Max1.215GHz
- Transistor Case StyleNI-650H
- No. of Pins4Pins
- Operating Temperature Max150°C
- Channel TypeN Channel
- Transistor MountingFlange
- Product Range-
- MSLMSL 3 - 168 hours
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)