FDI045N10A-F102 одиночные mosfet-транзисторы ONSEMI
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 164 A, 0.0038 ohm, I2PAK, Through Hole
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoFDI045N10A-F102
- Order Code3616050
43 200 руб.
43 200 000 руб. всего
Минимальный заказ от 1000 штук
Оставить запрос
→ 1000 шт. на сумму 43 200 000 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1000+
43 200 ₽
Техническая спецификация
- Channel TypeN Channel
- Drain Source Voltage Vds100V
- Continuous Drain Current Id164A
- Drain Source On State Resistance0.0038ohm
- Transistor Case StyleI2PAK
- Transistor MountingThrough Hole
- Rds(on) Test Voltage10V
- Gate Source Threshold Voltage Max4V
- Power Dissipation263W
- No. of Pins3Pins
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range-
- Qualification-
- SVHCLead (23-Jan-2024)