Двойные MOSFET-транзисторы ONSEMI FDS8958A
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoFDS8958A
- Order Code1562486
138 332 руб.
138 332 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу
Количество
Итого
138 332 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Оставить запрос
Количество:
Цена:
1+
138 332 ₽
Обзор продукта
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm — профессиональный разъём от ONSEMI (арт. FDS8958A) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: -; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.
Техническая спецификация
- Channel TypeComplementary N and P Channel
- Drain Source Voltage Vds N Channel30V
- Drain Source Voltage Vds P Channel30V
- Continuous Drain Current Id N Channel7A
- Continuous Drain Current Id P Channel7A
- Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
- Drain Source On State Resistance P Channel0.019ohm
- Transistor Case StyleSOIC
- No. of Pins8Pins
- Power Dissipation N Channel2W
- Power Dissipation P Channel2W
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- Qualification-
- MSLMSL 1 - Unlimited
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)