NTBG014N120M3P mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNTBG014N120M3P
- Order Code4143092
11 255 руб.
11 255 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 11 255 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
11 255 ₽
5+
9 848 ₽
10+
8 161 ₽
50+
7 315 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id104A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.014ohm
- Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
- No. of Pins7Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.63V
- Power Dissipation227W
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeEliteSiC Series
- SVHCLead (27-Jun-2024)