NVHL020N120SC1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNVHL020N120SC1
- Order Code3367866
11 246 руб.
11 246 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 11 246 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
11 246 ₽
5+
9 839 ₽
10+
8 152 ₽
50+
7 309 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id103A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.02ohm
- Transistor Case StyleTO-247
- No. of Pins3Pins
- Rds(on) Test Voltage20V
- Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
- Power Dissipation535W
- Operating Temperature Max175°C
- Product RangeEliteSiC Series
- SVHCLead (27-Jun-2024)