NXH004P120M3F2PTHG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH004P120M3F2PTHG
- Order Code4305080
36 566 руб.
36 566 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 36 566 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
36 566 ₽
5+
35 035 ₽
10+
33 505 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id284A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0055ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins36Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
- Power Dissipation785W
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)