NXH006P120M3F2PTHG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH006P120M3F2PTHG
- Order Code4472916
30 591 руб.
30 591 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 30 591 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
30 591 ₽
5+
28 955 ₽
10+
27 317 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id191A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.008ohm
- Transistor Case StylePIM
- No. of Pins36Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
- Power Dissipation556W
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)