NXH006P120MNF2PTG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, N Channel, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH006P120MNF2PTG
- Order Code3766231
31 452 руб.
31 452 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 31 452 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
31 452 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id304A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.00548ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins36Pins
- Rds(on) Test Voltage20V
- Gate Source Threshold Voltage Max2.83V
- Power Dissipation950W
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)