NXH007F120M3F2PTHG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH007F120M3F2PTHG
- Order Code4472917
34 415 руб.
34 415 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 34 415 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
34 415 ₽
5+
32 571 ₽
10+
30 728 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id149A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.01ohm
- Transistor Case StylePIM
- No. of Pins34Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
- Power Dissipation353W
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)