NXH010P90MNF1PTG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH010P90MNF1PTG
- Order Code3973631
30 269 руб.
30 269 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 30 269 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
30 269 ₽
5+
27 591 ₽
10+
24 913 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id154A
- Drain Source Voltage Vds900V
- Drain Source On State Resistance0.01003ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins18Pins
- Rds(on) Test Voltage15V
- Gate Source Threshold Voltage Max2.74V
- Power Dissipation328W
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)