NXH011T120M3F2PTHG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH011T120M3F2PTHG
- Order Code4317992
14 874 руб.
14 874 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 14 874 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
14 874 ₽
5+
13 760 ₽
10+
12 643 ₽
50+
11 528 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id91A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.016ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins29Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
- Power Dissipation272W
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)