NXH020U90MNF2PTG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI

Silicon Carbide MOSFET, Half-Bridge Module, Dual N Channel, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ONSEMI NXH020U90MNF2PTG фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH020U90MNF2PTG
  • Order Code4079793

34 526 руб.

34 526 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 34 526 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

34 526 

5+

33 432 

10+

32 336 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf-Bridge Module
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id149A
  • Drain Source Voltage Vds900V
  • Drain Source On State Resistance0.01003ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins20Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
  • Power Dissipation352W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • MSLMSL 1 - Unlimited
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half-Bridge Module, Dual N Channel, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB