NXH040F120MNF1PTG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ONSEMI NXH040F120MNF1PTG фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH040F120MNF1PTG
  • Order Code3929799

25 625 руб.

25 625 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 25 625 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

25 625 

5+

23 972 

10+

22 316 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationFourPack
  • Channel TypeFour N Channel
  • Continuous Drain Current Id30A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.042ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins22Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
  • Power Dissipation74W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB