NXH040P120MNF1PTG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH040P120MNF1PTG
- Order Code3973634
21 485 руб.
21 485 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 21 485 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
21 485 ₽
5+
19 901 ₽
10+
18 316 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id30A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.042ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins18Pins
- Rds(on) Test Voltage20V
- Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
- Power Dissipation74W
- Operating Temperature Max175°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)