NXH100B120H3Q0PTG модули igbt ONSEMI
IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH100B120H3Q0PTG
- Order Code3265489
16 538 руб.
16 538 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 16 538 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
16 538 ₽
5+
14 471 ₽
10+
11 990 ₽
50+
10 750 ₽
Техническая спецификация
- IGBT ConfigurationDual
- Continuous Collector Current50A
- DC Collector Current50A
- Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
- Power Dissipation186W
- Power Dissipation Pd186W
- Junction Temperature Tj Max150°C
- Operating Temperature Max150°C
- Transistor Case StylePIM
- IGBT TerminationPress Fit
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
- Collector Emitter Voltage Max1.2kV
- IGBT TechnologyTrench Field Stop
- Transistor MountingPanel
- Product RangeNXH100B120H3Q0
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)