NXH80T120L2Q0S2G модули igbt ONSEMI

IGBT Module, PIM Half Bridge Inverter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM

Модули IGBT ONSEMI NXH80T120L2Q0S2G фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH80T120L2Q0S2G
  • Order Code2835631

13 417 руб.

13 417 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 13 417 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

13 417 

5+

11 404 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:67A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.35V; Power Dissipation Pd:158mW; Collector Emi; Available until stocks are exhausted

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationPIM Half Bridge Inverter
  • Transistor PolarityN Channel
  • DC Collector Current67A
  • Continuous Collector Current67A
  • Collector Emitter Saturation Voltage2.35V
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.35V
  • Power Dissipation Pd158mW
  • Power Dissipation158mW
  • Junction Temperature Tj Max150°C
  • Operating Temperature Max150°C
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
  • Transistor Case StylePIM
  • IGBT TerminationSolder
  • No. of Pins20Pins
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • IGBT TechnologyTrench Field Stop
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Оставить запрос

IGBT Module, PIM Half Bridge Inverter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB