TT ELECTRONICS / SEMELAB, BFD63

Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6 A, 0.125 ohm, TO-3, Through Hole

Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6 A, 0.125 ohm, TO-3, Through Hole

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerTT ELECTRONICS / SEMELAB
  • Manufacturer Part NoBFD63
  • Order Code1208689

9 001 руб.

90 010 руб. всего

Минимальный заказ от 10 штук

Оставить запрос

→ 10 шт. на сумму 90 010 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

10+

9 001 

25+

7 928 

100+

7 292 

250+

4 898 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):0.125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:1

Техническая спецификация

  • Channel TypeN Channel
  • Drain Source Voltage Vds1kV
  • Continuous Drain Current Id6A
  • Drain Source On State Resistance0.125ohm
  • Transistor Case StyleTO-3
  • Transistor MountingThrough Hole
  • Rds(on) Test Voltage10V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4V
  • Power Dissipation198W
  • No. of Pins2Pins
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • Qualification-
  • MSL-
  • SVHCNo SVHC (16-Jul-2019)

Оставить запрос

Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 6 A, 0.125 ohm, TO-3, Through Hole