ONSEMI, FDS6675
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoFDS6675
- Order Code1562491
176 359 руб.
176 359 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 176 359 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
176 359 ₽
5+
158 723 ₽
10+
142 851 ₽
Обзор продукта
Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.7V; Power D
Техническая спецификация
- Channel TypeP Channel
- Drain Source Voltage Vds30V
- Continuous Drain Current Id11A
- Drain Source On State Resistance0.014ohm
- Transistor Case StyleSOIC
- Transistor MountingSurface Mount
- Rds(on) Test Voltage10V
- Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
- Power Dissipation2.5W
- No. of Pins8Pins
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- Qualification-
- MSLMSL 1 - Unlimited
- SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)