UF3SC065007K4S mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) QORVO

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) QORVO UF3SC065007K4S фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    QORVO
  • Manufacturer Part NoUF3SC065007K4S
  • Order Code4014249

14 185 руб.

14 185 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 185 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB
Количество:
Цена:

1+

14 185 

5+

14 170 

10+

14 158 

50+

14 142 

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id120A
  • Drain Source Voltage Vds650V
  • Drain Source On State Resistance0.0067ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins4Pins
  • Rds(on) Test Voltage12V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.7V
  • Power Dissipation789W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
Допустимые форматы: .csv, .xls, .xlsx. Максимальный размер файла: 30MB