NXP, BLS6G3135-120
RF FET Transistor, 60 V, 7.2 A, 120 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, SOT-502A
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerNXP
- Manufacturer Part NoBLS6G3135-120
- Order Code1851702
63 412 руб.
63 412 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 63 412 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
63 412 ₽
25+
58 433 ₽
100+
55 329 ₽
250+
52 511 ₽
500+
50 195 ₽
Обзор продукта
Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:7.2A; Power Dissipation Pd:120W; Operating Frequency Min:2.7GHz; Operating Frequency Max:3.1GHz; RF Transistor Case:SOT-502A; No.
Техническая спецификация
- Drain Source Voltage Vds60V
- Continuous Drain Current Id7.2A
- Power Dissipation120W
- Operating Frequency Min2.7GHz
- Operating Frequency Max3.1GHz
- Transistor Case StyleSOT-502A
- No. of Pins3Pins
- Operating Temperature Max225°C
- Channel TypeN Channel
- Transistor MountingFlange
- Product Range-
- MSL-
- SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)