NXP, BLS6G3135-120

RF FET Transistor, 60 V, 7.2 A, 120 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, SOT-502A

RF FET Transistor, 60 V, 7.2 A, 120 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, SOT-502A

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    NXP
  • Manufacturer Part NoBLS6G3135-120
  • Order Code1851702

63 412 руб.

63 412 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 63 412 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

63 412 

25+

58 433 

100+

55 329 

250+

52 511 

500+

50 195 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:7.2A; Power Dissipation Pd:120W; Operating Frequency Min:2.7GHz; Operating Frequency Max:3.1GHz; RF Transistor Case:SOT-502A; No.

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds60V
  • Continuous Drain Current Id7.2A
  • Power Dissipation120W
  • Operating Frequency Min2.7GHz
  • Operating Frequency Max3.1GHz
  • Transistor Case StyleSOT-502A
  • No. of Pins3Pins
  • Operating Temperature Max225°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSL-
  • SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

Оставить запрос

RF FET Transistor, 60 V, 7.2 A, 120 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, SOT-502A