NXP, MRF282ZR1

RF FET Transistor, 65 V, 1 µA, 60 W, 1.93 GHz, 2 GHz, NI-200Z

RF FET Transistor, 65 V, 1 µA, 60 W, 1.93 GHz, 2 GHz, NI-200Z

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerNXP
  • Manufacturer Part NoMRF282ZR1
  • Order Code1839845

7 590 руб.

7 590 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 590 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 590 

10+

6 243 

100+

4 927 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:1µA; Power Dissipation Pd:60W; Operating Frequency Min:1.93GHz; Operating Frequency Max:2GHz; No. of Pins:2Pins; MSL:-; SVHC:

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds65V
  • Continuous Drain Current Id1µA
  • Power Dissipation60W
  • Operating Frequency Min1.93GHz
  • Operating Frequency Max2GHz
  • Transistor Case StyleNI-200Z
  • No. of Pins2Pins
  • Operating Temperature Max200°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingSurface Mount
  • Product Range-
  • MSL-
  • SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

Оставить запрос

RF FET Transistor, 65 V, 1 µA, 60 W, 1.93 GHz, 2 GHz, NI-200Z