NXP, MRF9060LR1
RF FET Transistor, 65 V, 200 µA, 159 W, 945 MHz, NI-360
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerNXP
- Manufacturer Part NoMRF9060LR1
- Order Code1839852
9 945 руб.
9 945 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 9 945 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
9 945 ₽
10+
8 177 ₽
100+
6 457 ₽
Обзор продукта
Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:200µA; Power Dissipation Pd:159W; No. of Pins:2Pins; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Power Dissipation Max:159W; Transist
Техническая спецификация
- Drain Source Voltage Vds65V
- Continuous Drain Current Id200µA
- Power Dissipation159W
- Operating Frequency Min-
- Operating Frequency Max945MHz
- Transistor Case StyleNI-360
- No. of Pins2Pins
- Operating Temperature Max200°C
- Channel TypeN Channel
- Transistor MountingFlange
- Product Range-
- MSL-
- SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)