NXP, MRF9060LR1

RF FET Transistor, 65 V, 200 µA, 159 W, 945 MHz, NI-360

RF FET Transistor, 65 V, 200 µA, 159 W, 945 MHz, NI-360

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    NXP
  • Manufacturer Part NoMRF9060LR1
  • Order Code1839852

9 945 руб.

9 945 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 9 945 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

9 945 

10+

8 177 

100+

6 457 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:65V; Continuous Drain Current Id:200µA; Power Dissipation Pd:159W; No. of Pins:2Pins; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Power Dissipation Max:159W; Transist

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds65V
  • Continuous Drain Current Id200µA
  • Power Dissipation159W
  • Operating Frequency Min-
  • Operating Frequency Max945MHz
  • Transistor Case StyleNI-360
  • No. of Pins2Pins
  • Operating Temperature Max200°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSL-
  • SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

Оставить запрос

RF FET Transistor, 65 V, 200 µA, 159 W, 945 MHz, NI-360