STMICROELECTRONICS, LET9045F

RF FET Transistor, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250

RF FET Transistor, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    STMICROELECTRONICS
  • Manufacturer Part NoLET9045F
  • Order Code2341740

9 262 руб.

23 155 000 руб. всего

Минимальный заказ от 2500 штук

Оставить запрос

→ 2500 шт. на сумму 23 155 000 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

2500+

9 262 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:9A; Power Dissipation Pd:108W; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:1GHz; RF Transistor Case:M250; No. of Pins:3P

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds80V
  • Continuous Drain Current Id9A
  • Power Dissipation108W
  • Operating Frequency Min-
  • Operating Frequency Max1GHz
  • Transistor Case StyleM250
  • No. of Pins3Pins
  • Operating Temperature Max200°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSL-
  • SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

Оставить запрос

RF FET Transistor, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250