NXP, AFV10700HR5

RF FET Transistor, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H

RF FET Transistor, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerNXP
  • Manufacturer Part NoAFV10700HR5
  • Order Code2805097

60 518 руб.

60 518 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 60 518 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

60 518 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:105VDC; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:526W; Operating Frequency Min:1.03GHz; Operating Frequency Max:1.09GHz; RF Transistor Case:NI

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds105VDC
  • Continuous Drain Current Id-
  • Power Dissipation526W
  • Operating Frequency Min1.03GHz
  • Operating Frequency Max1.09GHz
  • Transistor Case StyleNI-780H
  • No. of Pins4Pins
  • Operating Temperature Max150°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSLMSL 3 - 168 hours
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

RF FET Transistor, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H