NXP, AFV10700HR5
RF FET Transistor, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerNXP
- Manufacturer Part NoAFV10700HR5
- Order Code2805097
60 518 руб.
60 518 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 60 518 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
60 518 ₽
Обзор продукта
Drain Source Voltage Vds:105VDC; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:526W; Operating Frequency Min:1.03GHz; Operating Frequency Max:1.09GHz; RF Transistor Case:NI
Техническая спецификация
- Drain Source Voltage Vds105VDC
- Continuous Drain Current Id-
- Power Dissipation526W
- Operating Frequency Min1.03GHz
- Operating Frequency Max1.09GHz
- Transistor Case StyleNI-780H
- No. of Pins4Pins
- Operating Temperature Max150°C
- Channel TypeN Channel
- Transistor MountingFlange
- Product Range-
- MSLMSL 3 - 168 hours
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)