NXP, MRF085HR5

RF FET Transistor, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H

RF FET Transistor, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerNXP
  • Manufacturer Part NoMRF085HR5
  • Order Code2805101

17 482 руб.

17 482 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 17 482 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

17 482 

5+

16 649 

10+

15 814 

Обзор продукта

Drain Source Voltage Vds:133VDC; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:235W; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:1.215GHz; RF Transistor Case:NI

Техническая спецификация

  • Drain Source Voltage Vds133VDC
  • Continuous Drain Current Id-
  • Power Dissipation235W
  • Operating Frequency Min1.8MHz
  • Operating Frequency Max1.215GHz
  • Transistor Case StyleNI-650H
  • No. of Pins4Pins
  • Operating Temperature Max150°C
  • Channel TypeN Channel
  • Transistor MountingFlange
  • Product Range-
  • MSLMSL 3 - 168 hours
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)

Оставить запрос

RF FET Transistor, LDMOS, 133 VDC, 235 W, 1.8 MHz, 1.215 GHz, NI-650H