MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM BSM600C12P3G201

Name: Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module
Brand: ROHM
SKU: 3573232
Price: 176965 RUB
Availability: PreOrder

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM BSM600C12P3G201 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
ROHM
Manufacturer Part NoBSM600C12P3G201
Order Code3573232

176 965 руб.

176 965 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

176 965 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Количество:

Цена:

176 965 ₽

Обзор продукта

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 600 A, 1.2 kV, Module — компонент от ROHM (арт. BSM600C12P3G201) для управления электрическими сигналами и коммутации в электронных схемах. Категория: MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC). Области применения: силовая электроника, автоматизация, радиоэлектронная аппаратура. Технические характеристики: MOSFET Module Configuration: Chopper; Channel Type: N Channel; Continuous Drain Current Id: 600A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; корпус: Module; Gate Source Threshold Voltage Max: 5.6V; рассеиваемая мощность: 2.46kW; макс. рабочая температура: 150°C. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id600A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-

Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation2.46kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM BSM600C12P3G201

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить заявку

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module