MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM BSM600D12P4G103

Name: Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 567 A, 1.2 kV, Module
Brand: ROHM
SKU: 4168760
Price: 224259 RUB
Availability: PreOrder

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 567 A, 1.2 kV, Module

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM BSM600D12P4G103 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
ROHM
Manufacturer Part NoBSM600D12P4G103
Order Code4168760

224 259 руб.

224 259 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

224 259 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Количество:

Цена:

224 259 ₽

Обзор продукта

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 567 A, 1.2 kV, Module — компонент от ROHM (арт. BSM600D12P4G103) для управления электрическими сигналами и коммутации в электронных схемах. Категория: MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC). Области применения: силовая электроника, автоматизация, радиоэлектронная аппаратура. Технические характеристики: MOSFET Module Configuration: Half Bridge; Channel Type: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 567A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; корпус: Module; выводов: 11Pins; Gate Source Threshold Voltage Max: 4.8V; рассеиваемая мощность: 1.78kW. Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра Delasia Electro.

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id567A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins

Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation1.78kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM BSM600D12P4G103

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить заявку

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module