SCT3030KLGC11 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM

Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
ROHM
Manufacturer Part NoSCT3030KLGC11
Order Code2678784

12 241 руб.

12 241 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 12 241 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:

Цена:

12 241 ₽

12 238 ₽

10+

12 236 ₽

50+

12 233 ₽

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:72A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:18V; Threshold Voltage Vgs:5.6V;

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins

Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation339W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)

SCT3030KLGC11 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ROHM

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить запрос

Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, 18 V, 5.6 V

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 325 A, 2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, 0.00144 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 417 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 A, 1.2 kV, 0.0075 ohm, Module