MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM SCT3030KLHRC11

Name: Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247N
Brand: ROHM
SKU: 3052188
Price: 11978 RUB
Availability: PreOrder

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247N

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM SCT3030KLHRC11 фото

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

Manufacturer
ROHM
Manufacturer Part NoSCT3030KLHRC11
Order Code3052188

11 978 руб.

11 978 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Цена действует на январь 2026 года, актуальная цена по запросу

Количество

Итого

11 978 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Оставить запрос

Количество:

Цена:

11 978 ₽

11 976 ₽

10+

11 973 ₽

50+

11 971 ₽

Обзор продукта

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 72 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247N — профессиональный разъём от ROHM (арт. SCT3030KLHRC11) для надёжных электрических соединений в промышленной, аэрокосмической и военной технике. Назначение: обеспечение стабильного контакта в ответственных системах. Области применения: автоматика, системы управления, военное и аэрокосмическое оборудование. Технические характеристики: -; ; ; ; ; компоновка ; корпус из ; покрытие ; материал контактов с покрытием ; поворот вставки ; класс . Преимущества покупки: гарантия совместимости, быстрая доставка, техническая поддержка от импортёра.

Техническая спецификация

MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins

Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation339W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (23-Jan-2024)

MOSFET-транзисторы и модули из карбида кремния (SiC) ROHM SCT3030KLHRC11

Оставить запрос

Количество:

Цена:

Обзор продукта

Техническая спецификация

Оставить заявку

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 379 A, 1.2 kV, 0.00255 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.015 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Quad N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EasyDual Module, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.0081 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.7 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 447 A, 1.2 kV, Module

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 155 A, 1.2 kV, 0.012 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 A, 1.2 kV, 0.00213 ohm, Module