GENESIC SEMICONDUCTOR, GA100XCP12-227

Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins

Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    GENESIC SEMICONDUCTOR
  • Manufacturer Part NoGA100XCP12-227
  • Order Code1862695

56 510 руб.

56 510 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 56 510 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

56 510 ₽

25+

50 166 ₽

100+

45 239 ₽

Обзор продукта

DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:SOT-227; No. of Pi

Техническая спецификация

  • IGBT ConfigurationSingle
  • Continuous Collector Current100A
  • Collector Emitter Saturation Voltage2V
  • Power Dissipation-
  • Collector Emitter Voltage Max1.2kV
  • Transistor Case StyleSOT-227
  • Operating Temperature Max150°C
  • No. of Pins3Pins
  • IGBT TerminationScrew
  • IGBT Technology-
  • Transistor MountingPanel
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

Оставить запрос

Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins