ONSEMI, NXH006P120M3F2PTHG

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH006P120M3F2PTHG
  • Order Code4472916

20 191 руб.

20 191 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 20 191 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

20 191 ₽

5+

19 112 ₽

10+

18 031 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id191A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.008ohm
  • Transistor Case StylePIM
  • No. of Pins36Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
  • Power Dissipation556W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM