NXH004P120M3F2PNG mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) ONSEMI
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Half Bridge, N Channel, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, PIM
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerONSEMI
- Manufacturer Part NoNXH004P120M3F2PNG
- Order Code4472915
44 408 руб.
44 408 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 44 408 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
44 408 ₽
5+
39 651 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeN Channel
- Continuous Drain Current Id338A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.0055ohm
- Transistor Case StylePIM
- No. of Pins36Pins
- Rds(on) Test Voltage18V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
- Power Dissipation1.098kW
- Operating Temperature Max150°C
- Product Range-
- SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)