ONSEMI, NXH80B120MNQ0SNG

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH80B120MNQ0SNG
  • Order Code3929815

9 407 руб.

9 407 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 9 407 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

9 407 ₽

5+

8 661 ₽

10+

7 916 ₽

50+

7 171 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationDualPack
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id23A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.08ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins22Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2V
  • Power Dissipation69W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeEliteSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module