ONSEMI, NXH40B120MNQ0SNG

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH40B120MNQ0SNG
  • Order Code3929810

11 550 руб.

11 550 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 550 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 550 ₽

5+

10 895 ₽

10+

10 240 ₽

50+

9 585 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationDualPack
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id38A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.04ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins22Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max-
  • Power Dissipation118W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeEliteSiC Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module