ONSEMI, NXH010P120MNF1PTG

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, Dual N Channel, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, Dual N Channel, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH010P120MNF1PTG
  • Order Code3973630

24 868 руб.

24 868 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 24 868 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

24 868 ₽

5+

23 611 ₽

10+

22 355 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id114A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0105ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins18Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
  • Power Dissipation250W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, Dual N Channel, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Module