ONSEMI, NXH006P120MNF2PTG

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, N Channel, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, N Channel, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH006P120MNF2PTG
  • Order Code3766231

20 718 руб.

20 718 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 20 718 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

20 718 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id304A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.00548ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins36Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.83V
  • Power Dissipation950W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, N Channel, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Module