ONSEMI, NXH011F120M3F2PTHG

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH011F120M3F2PTHG
  • Order Code4472918

18 078 руб.

18 078 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 18 078 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

18 078 ₽

5+

16 784 ₽

10+

15 490 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id105A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.016ohm
  • Transistor Case StylePIM
  • No. of Pins34Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
  • Power Dissipation244W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM