ONSEMI, NXH007F120M3F2PTHG

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH007F120M3F2PTHG
  • Order Code4472917

22 578 руб.

22 578 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 22 578 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

22 578 ₽

5+

21 368 ₽

10+

20 159 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id149A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.01ohm
  • Transistor Case StylePIM
  • No. of Pins34Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
  • Power Dissipation353W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM