ONSEMI, NVHL020N120SC1

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNVHL020N120SC1
  • Order Code3367866

7 360 руб.

7 360 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 7 360 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

7 360 ₽

5+

6 440 ₽

10+

5 335 ₽

50+

4 784 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationSingle
  • Channel TypeN Channel
  • Continuous Drain Current Id103A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.02ohm
  • Transistor Case StyleTO-247
  • No. of Pins3Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
  • Power Dissipation535W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeEliteSiC Series
  • SVHCLead (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247