ONSEMI, NXH40B120MNQ1SNG

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Three N Channel, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Three N Channel, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH40B120MNQ1SNG
  • Order Code3929811

9 444 руб.

9 444 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 9 444 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

9 444 ₽

5+

9 443 ₽

10+

9 441 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationThreePack
  • Channel TypeThree N Channel
  • Continuous Drain Current Id44A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.04ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins32Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max-
  • Power Dissipation156W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product RangeEliteSiC Series
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Three N Channel, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module