INFINEON, F423MR12W1M1PB11BPSA1

Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Quad N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Quad N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoF423MR12W1M1PB11BPSA1
  • Order Code3577290

11 559 руб.

11 559 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 11 559 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

11 559 ₽

5+

10 739 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
  • Channel TypeQuad N Channel
  • Continuous Drain Current Id50A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.0225ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeEasyPACK CoolSiC
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Quad N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, Module