INFINEON, FS45MR12W1M1B11BOMA1

Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Six N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Six N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFS45MR12W1M1B11BOMA1
  • Order Code2986380

19 558 руб.

19 558 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 19 558 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

19 558 

5+

18 536 

10+

17 515 

Обзор продукта

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Diss

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
  • Channel TypeSix N Channel
  • Continuous Drain Current Id25A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.045ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeEasyPACK CoolsiC Series
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Six N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module