INFINEON, FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF08MR12W1MA1B11ABPSA1
  • Order Code3500941

35 119 руб.

35 119 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 35 119 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

35 119 ₽

5+

34 487 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id150A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.00733ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
  • Power Dissipation20mW
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeCoolSiC Easy 1B Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Module