ONSEMI, NXH010P90MNF1PTG

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    ONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH010P90MNF1PTG
  • Order Code3973631

20 132 руб.

20 132 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 20 132 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

20 132 ₽

5+

18 351 ₽

10+

16 569 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id154A
  • Drain Source Voltage Vds900V
  • Drain Source On State Resistance0.01003ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins18Pins
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.74V
  • Power Dissipation328W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module