INFINEON, FF3MR12KM1HHPSA1

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 190 A, 1.2 kV, 0.00444 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 190 A, 1.2 kV, 0.00444 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF3MR12KM1HHPSA1
  • Order Code4531823

47 862 руб.

47 862 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 47 862 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

47 862 ₽

5+

41 713 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id190A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.00444ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins7Pins
  • Rds(on) Test Voltage18V
  • Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range62 mm C Series
  • SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 190 A, 1.2 kV, 0.00444 ohm, Module