WOLFSPEED, CAS120M12BM2

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    WOLFSPEED
  • Manufacturer Part NoCAS120M12BM2
  • Order Code2630836

80 514 руб.

80 514 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 80 514 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

80 514 

Обзор продукта

Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:193A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) ; Available until stocks are exhausted

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id193A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.013ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
  • Power Dissipation925W
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module