INFINEON, FF6MR12W2M1B11BOMA1

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • Manufacturer
    INFINEON
  • Manufacturer Part NoFF6MR12W2M1B11BOMA1
  • Order Code3267808

35 809 руб.

35 809 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 35 809 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

35 809 ₽

5+

35 093 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id200A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.00563ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeEasyDUAL
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module