FF45MR12W1M1B11BOMA1 mosfet-транзисторы и модули из карбида кремния (sic) INFINEON
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module
Изображение предназначено только для иллюстративных целей
- ManufacturerINFINEON
- Manufacturer Part NoFF45MR12W1M1B11BOMA1
- Order Code3267807
13 820 руб.
13 820 руб. всего
Минимальный заказ от 1 штуки
Оставить запрос
→ 1 шт. на сумму 13 820 руб.
Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке
Количество:
Цена:
1+
13 820 ₽
Техническая спецификация
- MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
- Channel TypeDual N Channel
- Continuous Drain Current Id25A
- Drain Source Voltage Vds1.2kV
- Drain Source On State Resistance0.045ohm
- Transistor Case StyleModule
- No. of Pins-
- Rds(on) Test Voltage15V
- Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
- Power Dissipation-
- Operating Temperature Max150°C
- Product RangeEasyDUAL
- SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)