INFINEON, FF6MR12KM1BOSA1

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerINFINEON
  • Manufacturer Part NoFF6MR12KM1BOSA1
  • Order Code3516930

75 921 руб.

75 921 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 75 921 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

75 921 ₽

5+

74 404 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id250A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.00581ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins-
  • Rds(on) Test Voltage15V
  • Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
  • Power Dissipation-
  • Operating Temperature Max150°C
  • Product RangeCoolSiC C
  • SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module