ONSEMI, NXH040P120MNF1PTG

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module

Изображение предназначено только для иллюстративных целей

  • ManufacturerONSEMI
  • Manufacturer Part NoNXH040P120MNF1PTG
  • Order Code3973634

14 453 руб.

14 453 руб. всего

Минимальный заказ от 1 штуки

Оставить запрос

→ 1 шт. на сумму 14 453 руб.

Сроки доставки согласовываются в индивидуальном порядке

Количество:
Цена:

1+

14 453 ₽

5+

13 387 ₽

10+

12 321 ₽

Техническая спецификация

  • MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
  • Channel TypeDual N Channel
  • Continuous Drain Current Id30A
  • Drain Source Voltage Vds1.2kV
  • Drain Source On State Resistance0.042ohm
  • Transistor Case StyleModule
  • No. of Pins18Pins
  • Rds(on) Test Voltage20V
  • Gate Source Threshold Voltage Max2.81V
  • Power Dissipation74W
  • Operating Temperature Max175°C
  • Product Range-
  • SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)

Оставить запрос

Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Module